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Processo de fabricação em 3nm da Samsung chega em 2022

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Empresa irá utilizar transistores de próxima geração para a novidade litografia

A operário sul-coreana Samsung anunciou que está dentro do seu cronograma para entregar o seu processo de produção de 3nm até 2020. Secção do que irá possibilitar essa litografia de próxima geração é uma novidade tecnologia de transistores da empresa, que vai trazer um novo concepção para o design do hardware.

Porquê explica o site TechPowerUp, a Samsung já havia confirmado anteriormente que estava trabalhando numa tecnologia Gate-All-Around FET (GAAFET), que deverá trazer um controle muito maior para a produção do meato do transistor, evitando vazamento de nódulos de tamanho reduzido.

Só que a verdadeira revolução do processo de produção de 3nm deverá ser uma tecnologia chamada Multi Bridge Channel FET (MBCFET), que fará secção da família de projetos GAAFET. A promessa da Samsung é de que esse tipo de design vai gastar 50% menos força e entregar 30% mais desempenho do que soluções da geração passada.


Nascente: Samsung

A tecnologia MBCFET ainda permitirá um lucro maior de densidade para o processador, usando 45% menos espaço por transistor posicionado no silício. A confrontação foi feita com um processo não identificado de 7nm, que possivelmente é o FinFET de 7nm da própria Samsung.

A novidade técnica da obreiro sul-coreana permite que ela empilhe os transistores supra uns dos outros, o que usa menos espaço do que uma tecnologia FinFET tradicional.

O design do tipo MBCFET ainda permite que os transistores tenham uma largura maleável. Isso significa que cada peça da CPU pode ser tão larga quanto o designer desejar. Essa é uma mudança que torna mais fácil ajustar o processador para operar com um resultado de grave consumo ou com outro de subida performance.

Via: TechPowerUp Manadeira: Hardware Luxx





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